汞探針測(cè)試

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
LEI Model2017B，通過(guò)汞探針接觸方法，對(duì)各類(lèi)半導(dǎo)體材料的載流子濃度分布進(jìn)行測(cè)試，特別適合GaN.SiC等化合物材料。

產(chǎn)品型號(hào)：LEI Model2017B

更新時(shí)間：2025-01-23

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

訪問(wèn)量：259

產(chǎn)品咨詢(xún) 18117546256

產(chǎn)品分類(lèi)

PRODUCT CLASSIFICATION

半導(dǎo)體材料測(cè)試

體微缺陷測(cè)試霍爾電阻遷移率光伏光致發(fā)光深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試橢偏拉曼AFM 半導(dǎo)體多功能測(cè)試 CV測(cè)試系統(tǒng)集成測(cè)試儀器租賃

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可提供多個(gè)肖特基結(jié)構(gòu)
特殊設(shè)計(jì)的肖特基接觸，使串聯(lián)電阻最小。
精確的真空控制

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